SK 海力士将发布更快的 12 层 HBM3 内存

发布时间：2022-01-19 23:05:40 所属栏目：动态来源：互联网

导读：SK 海力士在一份文件中透露，将在 ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路大会）发布两款全新的 DRAM 芯片，其中包含 12 层堆叠的 HBM3 高速内存，以及速度更快的 GDDR6 芯片。 SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820GB / s，而新产品的

　　SK 海力士在一份文件中透露，将在 ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路大会）发布两款全新的 DRAM 芯片，其中包含 12 层堆叠的 HBM3 高速内存，以及速度更快的 GDDR6 芯片。

　　SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820GB / s，而新产品的速度将进一步提升，达到 896 GB / s。

　　
　　SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造，单颗最大容量可达 24GB。目前这类产品在服务器 CPU 中有应用，与处理器核心紧密封装在一起，实现高速率。海力士还表示，这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术。目前，还不知道该产品是否会很快量产。
　　
　　文件中三星电子也表示，将展示 16Gb（2GB） 27Gb / s GDDR6 显存芯片，该产品将采用 T-coil 电路结构，实现更高的速度。此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb / s，这款新品速度超过了第一代，有望使显卡获得更好的性能表现。

　　ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。

（编辑：舟山站长网）

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